原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请实施例涉及一种高稳定性低功耗Mo‑Te‑Sb纳米相变薄膜及其制备方法与应用，属于微电子相变材料技术领域。本申请实施例的高稳定性低功耗Mo‑Te‑Sb纳米相变薄膜，所述纳米相变薄膜的化学通式为(MoTe2)xSby，其中，x表示MoTe2的原子个数，且0＜x＜1；y表示Sb的原子个数，且0＜y＜1。本申请实施例所提供的纳米相变薄膜，基于Sb金属靶材上放置不同MoTe2金属靶材的数量配比，MoTe2组分比例的增加阻碍了载流子的定向移动，加大了晶化的障碍，使得薄膜拥有更好的热稳定性和更小的电阻漂
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117897041A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410028011.4B82Y40/00(2011.01)
(22)申请日
文档评论（0）