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本发明公开了一种电卡制冷增强散热的氮化镓器件,主要解决目前GaN材料由于导热系数低,器件在大功率下散热困难,自热现象严重的问题。自下而上包括热沉层、传热界面层、电卡制冷层、衬底层、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层(1,2,3,4,5,6,7,8)和金属电极,钝化层包裹在金属电极的外围;电卡制冷层的上下表面分别设有上下金属电极层(31,32),上、下金属电极层的表面至钝化层上表面的一侧分别设有上电极连接通孔(10)和下电极连接通孔(11),通孔内均填充有绝缘材料和金属互联材料(12,13)。本发明减
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117894770A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410075772.5H01L23/373(2006.01)
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