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本发明公开了垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法，垂直腔面发射半导体激光器，包括在垂直方向从下向上依次设置的衬底、N侧接触层、N型DBR、有源区、氧化层区域、P型DBR和P侧接触层，所述P侧接触层位于所述P型DBR的两侧并且设置在所述氧化层区域的上侧，所述P型DBR经刻蚀后形成脊形区域并且脊形区域的宽度不大于氧化孔径的宽度，所述P型DBR内的掺杂浓度从下至上逐渐减小。本发明公开的垂直腔面发射半导体激光器及其制作方法，其可以在出光口附近调控侧向光场，且该结构能够减小串联电阻和光子的损耗，最终达到提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117895328A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202311573715.1
(22)申请日2023.11.23
(71)申请人浙江大学绍兴研究院
地址312
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