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本发明公开了一种氮化镓半导体器件以及制备方法。该氮化镓半导体器件，包括：衬底；沟道层，沟道层位于衬底的一侧；势垒层，势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；栅极结构，栅极结构包括掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层和栅极；第一绝缘介质层，第一绝缘介质层覆盖栅极的侧面、栅极远离掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层的表面以及掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层远离势垒层的表面；应力层，应力层覆盖势垒层远离沟道层的表面以及第一绝缘介质层远离栅极的表面侧；势垒层远离沟道层的表面掺杂有电负性原子。本发明实施例提供的技术方案降低了栅极的漏电流，并且改善了沟
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117894835A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410288763.4H01L21/56(2006.01)
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