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一种基于激光选区烧结制备氮化硅陶瓷的方法.pdfVIP

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  • 2024-04-17 发布于四川
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一种基于激光选区烧结制备氮化硅陶瓷的方法.pdf

    本发明提供了一种基于激光选区烧结制备氮化硅陶瓷的方法，涉及激光加工和陶瓷制备技术领域，包括：将氮化硅粉末、烧结助剂和粘结剂按比例混合到搅拌装置中，得到氮化硅陶瓷浆料；将氮化硅陶瓷浆料涂抹在基材上，形成待烧结层，利用激光装置对待烧结层进行选区烧结；重复上述操作，直至得到所需形状与厚度的氮化硅陶瓷。通过设置利用激光装置，有效的改善了背景技术提出的：传统的氮化硅陶瓷制备方法，如热压烧结、无压烧结等，存在生产周期长、生产成本高、材料致密度低等的技术问题。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117886613A

    (43)申请公布日2024.04.16

    (21)申请号202410050408.3B28B11/24(2006.01)

    (22)申请日2024.01.

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