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本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过将多量子阱层结构设置为复合结构，其中，量子阱层为InGaN层，量子垒层为AlInGaN/AlGaN/AlN/GaN的组合结构，在生长多量子阱层的过程中，InGaN层生长温度为T0，AlInGaN子层生长温度为T1，AlGaN子层的生长温度为T2，AlN子层的生长温度为T3，GaN子层的生长温度为T4，其中，T4=T3≥T2≥T1≥T0，具体的，采用这种组合结构的垒层，把传统的方形阱结构改变成刃形阱结构，可以将载流子更好地限制在InGaN层，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117894897A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202410295127.4
(22)申请日2024.03.15
(71)申请人江西兆驰半导体有限公司
地址3
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