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  • 2024-04-19 发布于重庆
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全球及中国光刻胶行业全景速览

内容概况:随着半导体工艺的不断升级,对光刻胶的技术要求也在不断提高。国内企业

需要不断进行技术创新,提升光刻胶的性能和质量,以满足新一代半导体工艺的需求。数据

显示,2022年中国光刻胶行业市场规模达到190.7亿元,同比增长8.5%。目前我国光刻胶

行业需求量大于产量,中高端产品进口需求迫切。数据显示,2022年我国光刻胶行业产需

量分别为3.8/8.4万吨,分别同比增长5.8%、6.8%。

关键词:光刻胶、半导体光刻胶、LCD光刻胶、PCB光刻胶、光刻机

一、光刻胶综述

光刻技术是利用光化学反应原理和刻蚀方法将掩模版上的图案传递到晶圆的工艺技术,

原理起源于印刷技术中的照相制版。光刻胶,是指经过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、

X射线等光照或辐射后,溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,是光刻工艺中的关键材料。光

刻胶经过旋涂、前烘、曝光、后烘、显影等工序后,可以将光掩模板上的微纳图形转移到光

刻胶上,结合后续工艺实现目标材料的图案化和阵列化。

光刻胶根据其显影原理可分为负性光刻胶和正性光刻胶。正性光刻胶经光照辐射后,被

曝光部分被显影液溶解,而掩模版覆盖部分则被保留,通常正性光刻胶可获得较高的分辨率;

负性光刻胶经光照辐射后,被掩模版覆盖而未经曝光的部

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