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本申请提供了一种炉管填充片与晶圆加工装置，涉及半导体技术领域。该炉管填充片置于晶舟的底部与顶部，炉管填充片包括：硅衬底；位于硅衬底一侧的氧化层；位于氧化层的远离硅衬底一侧的氮化硅层；其中，氧化层的厚度大于氮化硅层的厚度。本申请提供的炉管填充片与晶圆加工装置具有不易出现变形翘曲，且避免了杂质玷污的优点。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220796675U
(45)授权公告日2024.04.16
(21)申请号202322564830.4
(22)申请日2023.09.20
(73)专利权人捷捷微电(南通)科技有限公司
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