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功率场效应晶体管功率场效应晶体管的结构主要内容功率场效应晶体管的参数功率场效应晶体管的特性功率场效应晶体管的工作原理功率场效应晶体管功率场效应晶体管MOSFET，也称为电力场效应晶体管，输出工作电流大约在几安到几十安范围。特点MOSFET具有自关断能力，不存在二次击穿问题，安全工作区宽，噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、容易驱动、输入阻抗高、驱动功率小，热稳定性好、工作频率可以达到1M赫兹；MOSFET电压和电流容量较小。所以，被广泛的应用于高频中小功率电力电子装置中。MOSFET的结构MOSFET有3个电极，分别是：栅极G、源极S和漏极D。MOSFET的分类P沟道按载流子的性质分N沟道MOSFET耗尽型栅极电压为零时已存在导电沟道按零栅压时器件的导电状态分增强型栅极电压大于零时才存在导电沟道MOSFET的结构电气符号内部剖面示意图图1MOSFET内部示意图和电气符号MOSFET的工作原理当MOSFET漏极接电源正极，源极接电源负级，栅源极间的电压为零时，P基区与N区之间的PN结反偏，漏源极之间无电流通过。如果在栅源极间加一正电压UGS，则栅极上的正电压将其下面的P基区中的空穴推开，而将电子吸引到栅极下的P基区的表面，当UGS大于开启电压UT时，栅极下P基区表面的电