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本发明公开了一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层和制造方法，其中所述半导体芯片包括一衬底和依次层叠于所述衬底的一N型氮化镓层、一量子阱层和一P型氮化镓层以及被电连接于所述N型氮化镓层的一N型电极和被电连接于所述P型氮化镓层的一P型电极，其中其中所述量子阱层包括依次层叠的至少一量子垒和至少一量子阱，所述量子垒和所述量子阱的生长压力不同，通过这样的方式，能够改善所述量子阱和所述量子垒的阱垒界面的晶体质量，以提高所述发光二极管的光效。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109166950A
(43)申请公布日
2019.01.08
(21)申请号20181
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