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本发明公开了一种碳化硅全桥模块,包括铜底基板,铜底基板上焊接有具有正面蚀刻电路的陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板上通过真空焊接方式及铝线键合方式搭载工频整流桥分模块、碳化硅逆变全桥分模块、肖特基整流桥分模块和温敏电阻分模块,陶瓷覆铜板上还设置有功率端子和信号端子,碳化硅全桥模块搭载在数字化逆变焊机中,走线回路短,降低功率器件互联的寄生参数,各路采样信号更加准确,采用功率‑功能合封技术,使碳化硅全桥模块获得最佳的体积和功率密度,模块整体集成一体化设计,布局均匀,使整机更加小型化,使功率碳化硅器件开关过程更加
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117914107A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202410104739.0
(22)申请日2024.01.25
(71)申请人杭州泰昕微电子有限公司
地址3
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