中国光伏大会专题报告:光伏产业面临技术升级.pptx

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光伏产业面临技术升级

王文静

中科院电工所

中国科学院大学

寿命

一种太阳电池的大规模应用必须具备的三个要素

III-V族电池

非晶硅电池

晶体硅电池

CdTe?

CIGS?

效率

效率

效率

寿命

寿命

成本

成本

成本

组件类型

组件效率

组件$/Wpfor

10.7¢/kWh

组件$/Wpfor8¢/kWh

组件$/Wpfor6¢/kWh

高效单晶硅

19.5%

2.21

1.32

0.67

普通单晶硅

14%

1.9

1.01

0.36

CdTe薄膜

11%

1.6

0.72

0.06

低效薄膜

6%

0.44

达不到

达不到

XiaotingWanga,Lado

Kurdgelashvilib,JohnByrneb,

AllenBarnetta:Thevalueof

moduleefficiencyinloweringthelevelizedcostofenergyof

photovoltaicsystems,RenewableandSustainableEnergyReviews

15(2011)4248–4254。

模型假设:

组件价格=BOS价

提高组件效率的价值

计算模型为平板PV系统,固定倾角,地点为美国Phoenix

维持或增加电站LCOE

提高组件效率

维持组件成本

提高效率的意义

增加组件成本

降低电站

降低电站

降低组件成本

LCOE

LCOE

降低组件效率

维持效率&成本不变

降低电站LCOE

降低组件成本和延长组件寿命的意义

增加&维持电站LCOE

延长组件寿命

降低电站

降低成本

维持效率不变

LCOE

技术进步的目标

第二层次的技术进步

延长寿命不影响成本和效率

提高电池组件效率

降低电池组件成本

延长电池组件寿命

降低电站LOCE

提效不升本

降本不降效

第一层次的技术进步

最终目标

PERT

LPVCD

TopCon

晶体硅太阳电池效率的提高

PERC

Al-BSF

Al2O3+SiNx镀膜设备激光开槽设备

Revolution(革命性创新)

Evolution(渐进式创新)

同质结

彻底改变前电极结构

异质结

彻底改变栅线结构

IBC

HJT

HBC

离子注入机

异质结

DEVELOPMENTOFHETEROJUNCTIONBACKCONTACTSISOLARCELLS,Procedingof29thEuropeanPhotovoltaicSolarEnergyConferenceandExhibition,P373

NewworldrecordofHBC:26.6%By:Kaneka

2017.6

未来的新思路HBC——HJT+IBC

序号

单位

电池结构

硅片类型

电池面积

(cm2)

开路电压Voc

(mV)

短路电流

Jsc(mA/cm2)

填充因子

FF(%)

效率

Eff.(%)

1

Kaneka

HJBC

n-Si

180.43

743.8

42.25

83.78

26.33

2

SunPower

IBC

n-Si

153.49

737

41.33

82.71

25.2

3

Fraunhofer

TOPCon

n-Si

4

718

42.1

83.2

25.1

4

UNSW

PERL

p-Si

4

706

42.7

82.8

25

各种太阳电池的最高效率与产业化的平均效率

可产业化的新型结构晶体硅太阳电池

Topcon

POLO

常规铝背场电池

P型PERC单晶电池

N型双面电池

HIT电池

1

硅片清洗植绒

硅片清洗植绒

硅片清洗植绒

硅片清洗植绒

2

扩磷

扩磷

扩硼

PECVD沉积硼

3

等离子去边or

湿法去背结

湿法去背结

湿法去背结

4

清洗

清洗

清洗

5

离子注入磷

PECVD沉积磷

6

PECVD镀SiNx膜

PECVD镀SiNx

PECVD镀SiNx

PVD镀透明导电膜

7

ALD+PECVD镀Al2O3+SiNx

ALD+PECVD镀Al2O3+SiNx

PVD镀透明导电膜

8

激光开槽

9

3丝印+3烘干

3丝印+3烘干

3丝印+3烘干

3丝印+3烘干

10

测试分选

测试分选

测试分选

测试分选

11

19%

20.5%

21%

22%

各种新型晶体硅太阳电池的工艺比对

扩硼

离子注入镀Al2O3

镀Al2O3激光开孔

PECVD沉积硼磷

高难工艺

常规铝背场电池

N型PERT

硅片掺杂

P型

N型

硅片晶型

单晶/多晶

单晶

工艺步骤

5

7

最难工艺

硼掺杂

产线平均效率

20

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