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贵金属键合丝热影响区长度的扫描电镜测定方法

警示——使用本文件的人员应有正规实验室工作的实践经验。本文件并未指出所有可能的安全问题。使用者有责任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关法规规定的条件。

1范围

本文件规定了各类贵金属键合丝热影响区长度的扫描电镜测量方法。

本文件适用于各类贵金属键合丝的热影响区长度测量。方法一适用于键合金丝热影响区长度的测量。方法二适用于直径不超过50μm的纯金属、合金或复合类贵金属键合丝的热影响区长度测量。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期的版本适用于本文件。不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T38783-2020贵金属复合材料覆层厚度的扫描电镜测定方法GB/T16594微米级长度的扫描电镜测量方法通则

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1

自由空气球FreeAirBall（FAB）

引线键合准备阶段，高电压形成电弧产生的高温使键合丝尖端熔化，冷却时由于重力和表面张力的作用，使键合丝尖端形成球状，这个熔球称为自由空气球。

3.2

热影响区HeatAffectedZone（HAZ）

引线键合准备阶段的烧球处理时，电弧产生的热能快速熔化键合丝尖端，形成自由空气球，同时大量的热量沿丝材传导使键合丝近球端发生晶粒粗化和晶粒急剧生长现象，随热量向远端扩散，热量对丝材组织的影响逐渐降低。我们将键合丝近球端晶粒在热影响下长大的区域称为热影响区。热影响区由于晶粒粗大，力学强度较低，容易形成失效点。

3.3

通道衬度成像ElectronChannelingContrastImage（ECCI）

利用电子通道效应反映材料表面的晶体取向衬度、原子序数衬度和部分形貌衬度的成像方法。当入射电子轰击多晶样品表面时，与不同晶面形成不同入射角度，对同一晶面而言，在某些入射方向下，电子被散射的概率较大(相当于禁道)，在另一方向上，电子被散射的概率较小(相当于通道)的现象。因此不同取向的晶粒将呈现不同的衬度，由此衬度形成的图像称为通道衬度成像。通道衬度的形成要求多晶表面无应力、无变形层、无氧化层，一般都需要采用氩离子抛光或聚焦离子束切割等无应力的加工手段来获得这种多晶截面。

3.4

离子束成像Ionbeamimaging

聚焦的离子可以用来扫描样品表面，入射离子与样品之间发生交互作用激发出二次电

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子、中性原子、二次离子和光子等信号，通过收集这些信号能够使离子束成像。与电子束成像相比，离子束成像对晶体取向更敏感，更容易获得优秀的通道衬度图像。

3.5

等轴晶粒Equiaxedgrain

晶粒在各方向上尺寸相差较小的晶粒叫等轴晶。

3.6

条带状组织Bandedstructure

金属丝材沿拉拔方向严重变形后形成的平行于拉拔方向的条带状变形组织。3.7

长晶粒Longgrain

烧球处理时随着热量从尖端向远端扩散，随热量逐渐减弱，远端的晶粒不能获得足够的能量生长成等轴晶粒，而是长成一种形态介于等轴晶粒与形变条带组织之间的长条状非等轴晶粒，其X方向尺寸明显大于Y方向，但Y方向的尺寸大于条带状组织，通常在X和Y方向的长径比小于10。

4方法一直接观察法

4.1原理

使用扫描电镜的背散射模式观察烧球后的键合金丝表面，能够观察到样品表面的晶粒组织，通过获取键合金丝丝材表面晶粒的清晰电镜照片，从而测定热影响区的长度。

4.2仪器设备

具备背散射拍摄模式的扫描电子显微镜。

4.3试验步骤

4.3.1样品安装

将烧球后的键合金丝（或含键合金丝的芯片样品）用导电胶水平粘接在平面样品台上，并将贴有样品的平面样品台置于样品仓并抽真空。

4.3.2电镜观察与拍照

在扫描电镜下使用背散射模式观察样品，选取表面清洁无机械损伤的样品，将样品移动到视野中心，并调节电镜参数获得清晰的背散射图像。所拍背散射电镜图片应该包含整个自由空气球以及全部的热影响区，如果倍数较低应该采用像素较高的拍摄模式，以保证在包含整个自由空气球和全部热影响区的情况下键合金丝表面的组织晶粒是清晰可见的。为提高像素也可以采用局部拍摄加后期图像拼接的方式。推荐拍照参数如表1

表1.扫描电镜推荐测试参数

电子束加速电压

200V-10kV

工作距离

5-10mm

拍摄图片像素

不低于1356×1024

5方法二聚焦离子束（FIB）法

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5.1原理

通过