材料的强化和韧化.ppt

关于材料的强化和韧化强韧化意义提高材料的强度和韧性节约材料，降低成本，增加材料在使用过程中的可靠性和延长服役寿命希望材料既有足够的强度，又有较好的韧性，通常的材料二者不可兼得理解材料强韧化机理，掌握材料强韧化本质合理运用和发展材料强韧化方法从而挖掘材料性能潜力注意第2页,共19页，2024年2月25日，星期天提高金属材料强度途径强度是指材料抵抗变形和断裂的能力材料强度缺陷数量冷加工状态退火状态无缺陷的理论强度材料强度与缺陷数量的关系两种方法完全消除内部的缺陷，使它的强度接近于理论强度增加材料内部的缺陷，提高强度第3页,共19页，2024年2月25日，星期天增加材料内部的缺陷，提高强度固溶强化细晶强化第二相粒子强化形变强化提高金属材料强度途径即在金属中引入大量的缺陷，以阻碍位错的运动第4页,共19页，2024年2月25日，星期天定义本质利用点缺陷对位错运动的阻力使金属基体获得强化强化机理间隙固溶体碳、氮等间隙式溶质原子嵌入金属基体的晶格间隙中，使晶格产生不对称畸变造成的强化效应间隙式原子在基体中与刃位错和螺位错产生弹性交互作用，使金属获得强化。替代式溶质原子在基体晶格中造成的畸变大都是球面对称的，因而强化效果要比填隙式原子小固溶强化第5页,共19页，2024年2月25日，星期天细晶强化定义强化机理晶界对位错滑移的阻滞效应当位错运动时，由于晶界两侧晶粒的取向不同，加之这里杂质原子较多，增大了晶界附近的滑移阻力，因而的滑移带不能直接进入一侧晶粒中晶界上形变要满足协调性需要多个滑移系统同时动作，这同样导致位错不易穿过晶界，而是塞积在晶界处—晶粒越细，晶界越多，位错阻滞效应越显著，多晶体的强度就越高第6页,共19页，2024年2月25日，星期天细晶强化定义强化机理晶界对位错滑移的阻滞效应当位错运动时，由于晶界两侧晶粒的取向不同，加之这里杂质原子较多，增大了晶界附近的滑移阻力，因而的滑移带不能直接进入一侧晶粒中晶界上形变要满足协调性需要多个滑移系统同时动作，这同样导致位错不易穿过晶界，而是塞积在晶界处—晶粒越细，晶界越多，位错阻滞效应越显著，多晶体的强度就越高第7页,共19页，2024年2月25日，星期天霍耳-配奇(Hall-Petch)关系式σy＝σi＋ky·d-1/2σi和ky是两个和材料有关的常数，d为晶粒直径常规的多晶体（晶粒尺寸大于100nm）纳米微晶体材料(晶粒尺度在1-100nm间)中，临界尺寸dc,十几到二十纳米之间反Hall-Petch效应在纳米晶粒，晶界核心区原子所占的比例可高达50%理论模拟的结果显示存在一个临界尺寸dc第8页,共19页，2024年2月25日，星期天第二相粒子强化分类通过相变（热处理）获得析出硬化、沉淀强化或时效强化通过粉末烧结或内氧化获得弥散强化强化效果相粒子的强度、体积分数、间距、粒子的形状和分布等都对强化效果有影响第二相粒子强化比固溶强化的效果更为显著第9页,共19页，2024年2月25日，星期天第二相粒子强化强化机理不易形变的粒子包括弥散强化的粒子以及沉淀强化的大尺寸粒子位错绕过机制（Orowan，奥罗万机制）位错线绕过粒子，恢复原态，继续向前滑移运动位错线在不易形变粒子前受阻、弯曲外加切应力的增加使位错弯曲，直到在A、B处相遇位错线方向相反的A、B相遇抵消，留下位错环，位错增殖第10页,共19页，2024年2月25日，星期天第二相粒子强化强化机理易形变的粒子包括弥散强化的粒子以及沉淀强化的大尺寸粒子位错切割机制位错切过粒子的示意图Ni-19%Cr-6%Al合金中位错切过Ni3Al粒子的透射电子显微像第11页,共19页，2024年2月25日，星期天切过粒子引起强化的机制短程交互作用位错切过粒子形成新的表面积，增加了界面能位错扫过有序结构时会形成错排面或叫做反相畴，产生反相畴界能粒子与基体的滑移面不重合时，会产生割阶;粒子的派-纳力τP-N高于基体等，都会引起临界切应力增加长程交互作用（作用距离大于10b）由于粒子与基体的点阵不同（至少是点阵常数不同），导致共格界面失配，从而造成应力场第12页,共19页，2024年2月25日，星期天第二相粒子强化的最佳粒子半径综合考虑切过、绕过两种机制，估算出第二相粒子强化的最佳粒子半径rc=(G·b2)/(2·σs)第13页,共19页，2024年2月25日，星期天形变强化（加工硬化）定义强化机理金属在塑性变形过程中位错密度不断增加，使弹性应力场不断增大，位错间的交互作用