光敏聚酰亚胺（PSPI）现状调查.docx

光敏聚酰亚胺(PSPI）现状汇总

在拥有优良的热、电、机械性能的同时，聚酰亚胺聚合物材料还具有与基板良好的粘附性，以及与半导体工艺良好的匹配性等特点，因此近些年来被广泛应用于微电子领域，作为微电子系统中电子元件的绝缘层，钝化层或者应力缓冲层。在众多的应用场合，聚酰亚胺层上需要刻蚀各种图案来实现所需的微细联接孔道或者串口来实现整个器件的联接。

以往的工艺是通过在所需刻蚀的PI层上涂覆一层光刻胶，先在上层光刻胶上刻蚀所需图案，然后再以光致图案化的涂层充当掩膜板来使下面的聚酰亚胺涂层图案化（间接图案化），这种方法步骤繁多，工艺复杂，成本高昂，基于这些原因，具有直接光刻图形功能的光敏聚酰亚胺就应运而生了。

PSPI，全称为“光敏性聚酰亚胺”（PhotosensitivePolyimide），这种材料结合了聚酰亚胺（Polyimide，PI）的优良的物理和化学性能，以及光敏材料的特性。PSPI类似于光刻胶，在紫外光、α射线、X射线等的辐射下，被照射部分的结构会发生变化，能够溶解在相应溶剂中，可以用于制作精密的图案。

PSPI光刻胶分类上可以根据胶样的成像机理分为正性和负性光刻胶，按曝光波长可以可以分为G线/I线/混线等，按照用途又可以分为LED封装、半导体、显示面板光刻胶。

光敏聚酰亚胺的分类

根据曝光显影后发生光反应后的溶解度变化，形成光刻图案的差异，可分为负性光敏聚酰亚胺(n-PSPI)和正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)。n-PSPI曝光时，曝光区发生光交联反应，使聚合物溶解度降低而被保留下来，未曝光区被显影液溶解，最终形成与掩膜板图案相反的图形，而p-PSPI的图案形成过程则与之相反。正性PSPI的曝光区域则会被溶解，未曝光区域不会被显影液溶解。利用显影液的溶解过程实现PSPI的图案化，显影后利用催化、加热或化学转变等方法制备具有特定图案的聚酰亚胺薄膜。

1.1正性光敏聚酰亚胺（p-PSPI）

p-PSPI根据感光原理的不同可分为自增感型和外加光敏剂型两种体系。自增感型的PSPI本身结构中带有光敏基团，不需要外加光敏剂就能够实现光刻。而外加光敏剂型的PSPI则需光敏剂才能实现光刻。

自增感型p-PSPI主要分为以下几类：邻硝基苄基型、侧链含光敏基团型和主链可降解型。邻硝基苄基型将具有光敏性的邻硝基苄基通过酯键或侧基引入PI主链，可实现正性光刻；侧链含光敏基团型将邻叠氮萘醌基通过酯键或侧基引入PI主链；主链可降解型的主链自身具备活性，可被紫外光或酸分解成小分子。

目前商业化的p-PSPI产品绝大多数都属于外加光敏剂型，只是由于外加光敏剂赋予了主链分子设计更多的灵活性，光刻性能也可以通过调节外加光敏剂的结构与浓度等实现调控，自由度很高。

外加增感剂型主要分为以下几类：PI前体/正性光敏剂型、反应显影制图型和化学增幅型。

1.1.1PI前体/正性光敏剂型

主流的p-PSPI商业化产品多为PI前体外加正性光敏剂型。此处的PI前体包括聚酰胺酸酯（PAE）、PAA、特殊结构的PI、聚异酰亚胺（PII）等。合成步骤为，首先通过四羧酸二酐和二胺合成PI前体，之后与交联剂、光敏剂混合制备得到p-PSPI光刻胶组合物。正性光敏剂主要指的是叠氮萘醌（DNQ）类化合物或1，4-二氢吡啶（DHP）。

DNQ的光刻机理为，在曝光区，DNQ受到紫外辐照后发生光解转化为亲水性的茚酸化合物，进而促进了含-OH基PAA在碱性显影液中的溶解。而在未曝光区，疏水性的DNQ化合物抑制了PAA的溶解，因此在曝光区与非曝光区之间产生溶解度差异，实现正性光刻。

DHP的光刻机理为，在未曝光区，光敏剂与PAA之间易形成氢键，因此可以抑制PAA在碱溶液中的溶解。曝光后，光敏剂光解为吡啶衍生物，因此易与PAA之间形成离子键，从而促进了PAA在碱溶液中的溶解，实现正性光刻。

1.1.2反应显影制图型

反应显影制图（Reactiondevelopmentpatterning，RDP）的概念由Fukushima等提出。合成步骤如式2所示。反应显影制图型p-PSPI虽然也使用可溶性PI与DNQ的复合体系，但反应机理与其他的p-PSPI有所区别，它不需要PI分子本身对碱具有敏感性，而是利用曝光、显影过程中DNQ的极性变化来实现光刻的目的。

其光刻机理为，在曝光区，DNQ吸收紫外光后发生重排，生成极性大的茚羧衍生物。该衍生物与显影液中的氨基乙醇发生酸碱反应生成胺盐。胺盐有助于显影液进一步渗透入曝光后的PI基体中，从而引起酰亚胺环的开环反应，进而导致曝光区的PI发生断链而溶解于显影液中。而在未曝光区，未反应的DNQ阻止了乙醇胺向PI基体中的扩散，因此PI仍然具有较高的相对分子质量，不溶于显影液。

1.1.3化学增幅型

化学增幅型光刻胶主要由成膜树脂、溶解抑