04晶体管的频率特性与功率特性.pptVIP

晶体管的频率特性与功率特性主要的高频参数截止频率特征频率高频功率增益最高振荡频率4.1晶体管的频率特性α截止频率（共基极截止频率）表示共基极短路电流放大系数的幅值|α|下降到低频值α0的1/时的频率。即=时，|α|=α0/。β截止频率表示共发射极短路电流放大系数的幅值|β|下降到低频值β0的1/时的频率。即=时，|β|=β0/反映了电流放大系数β的幅值|β|随频率上升而下降的快慢，但并不是晶体管电流放大的频率极限。晶体管电流放大的频率极限是后面将要讲到的特征频率。特征频率表示共射短路电流放大系数的幅值下降到|β|=1时的频率。它是晶体管在共射运用中具有电流放大作用的频率极限。从图可以看出，上述几个频率参数间有如下关系且很接近当工作频率满足关系时，|β|随频率的增加，按-6dB/倍频的速度下降。最高振荡频率表示最佳功率增益等于1时的频率。晶体管具有功率增益的频率极限。当时，晶体管停止振荡。共基极短路电流放大系数与频率的关系共基极交流短路电流放大系数的定性分析共基极交流短路电流放大系数的定量分析（略）共基极交流短路电流放大系数α和截止频率定性分析共基极交流短路电流放大系数定义为输出交流短路时，集电极输出交流电流ic与发射极输入交流电流ie之比，并用α表示。（交流信号用小写字母表示。）发射结势垒电容分流电流iCTe当发射极输入一交变信号时，发射结空间电荷区宽度将随着交变信号变化，因而需要一部分电子电流对发射结势垒电容进行充放电。（有一部分电子电流被势垒电容分流，形成分流电流iCTe）所以高频时发射极电流为ine发射结注入基区交流电子电流ipe发射结反注入空穴电流（基区注入发射结的空穴电流）交流发射效率频率增高，结电容分流电流iCTe增大，导致交流发射效率γ下降。所以，交流发射效率γ随频率的升高而下降。扩散电容分流电流iCDe在交流状态下，注入基区的少子浓度和基区积累电荷将随着结压降的变化而变化。因此，注入基区的少数载流子，一部分消耗于基区复合，形成复合电流iVR外，还有一部分将消耗于对扩散电容充放电，产生扩散电容分流电流iCDe，真正到达基区集电结边界的电子电流只有inc(0)。交流基区输运系数频率越高，分流电流iCDe越大，到达集电结的电子电流inc(0)越小所以，基区输运系数β*也随着频率的升高而下降。集电结空间电荷区输运系数到达集电结边界的电子电流inc(0)，通过集电结空间电荷区时需要一定的传输时间；耗尽层中产生位移电流用于维持空间电荷区边界的变化，使到达集电区边界的电子电流减少到inc(xm)。频率越高，位移电流越大，使βd随着频率增高而下降。集电结势垒电容分流电流iCTc到达集电区的交变电子电流，在通过集电区时，还需要用一部分电子电流对集电结势垒电容充放电，形成势垒电容的分流电流iCTc，真正到达集电极的电子电流只有incc集电区衰减因子αc集电极输出电流ic应该等于从发射极传输过来的电子电流incc和集电结反向电流ipc之和。集电区倍增因子α*反向电流ipc一般很小，但当集电区电阻较大时，输运至集电区的电子电流在体电阻上产生漂移电场，而漂移电场会使反向空穴电流增大，从而减小了有效电子电流incc。（使集电区倍增因子变小）共基极交流短路电流放大系数α在各个传输过程中，由于结电容对传输电流的分流作用，使传输电流的幅值减小，对电容充放电所产生的延迟时间，使输出信号同输入信号间存在相位差（延迟或不同步）。交流放大系数α是复数，其幅值随着频率的升高而下降，相位差随着频