常用电子元件识别与检测.ppt

通常使用三极管两种方式：1.是三极管工作在放大状态，利用IB对IC的控制作用，这是三极管在模拟电子技术中的应用；2.三极管工作在开关状态，利用三极管在饱和与截止两个状态之间转换，使三极管相当于一个受控开关，这是三极管在数字电子技术中的应用。第139页,共169页，2024年2月25日，星期天课堂练习：判断图示的各三极管工作在什么状态？并说明各三极管的管型。放大NPN型放大PNP型饱和NPN型截止NPN型第140页,共169页，2024年2月25日，星期天练习：下图三极管工作在放大状态，用电压表测出它们各电极的电位如图所示，试分别说出管脚名称、管型、组成的半导体材料。基极：3脚发射极：1脚集电极：2脚NPN型锗管基极：2脚发射极：1脚集电极：3脚NPN型硅管基极：2脚发射极：3脚集电极：1脚PNP型锗管第141页,共169页，2024年2月25日，星期天四.三极管的主要参数2.交流电流放大系数β--三极管工作点附近集电极电流变化量与相应的基极电流变化量之比第142页,共169页，2024年2月25日，星期天2.集电极---发射极穿透电流ICEOICEO不受IB控制，且ICEO对温度变化较敏感，所以希望ICEO越小越好，以免影响放大电路的稳定性。由于硅管的ICEO远小于锗管，因此人们在多数情况下选用硅管。3.极限参数---三极管正常工作时，所允许的最大电流、电压和功率等(1)集电极最大的允许电流ICM；工作时IC若超过ICM，三极管的β值将明显下降。β值低于额定值的三分之二时，三极管的特性将变差。(2)集电极--发射极反向击穿电压V(BR)CEO；工作时，VCE应小于此值，以免击穿。若温度升高V(BR)CEO降低，应留有一定余量。第143页,共169页，2024年2月25日，星期天(3)集电极最大耗散功率PCM使用中特别注意ICM和VCE决不能同时达到或超过规定的ICM和V(BR)CEO，否则它们的乘积将超过PCM很多，使三极管过热而损坏三极管：IC不能超过ICM，电压UCE不能超过U(BR)CEO，IC和UCE的乘积不能超过PCM，三极管的安全工作区如图所示。第144页,共169页，2024年2月25日，星期天4.3半导体元器件产品手册查阅一.半导体元器件型号命名方法一般半导体器件的型号的命名由五部分组成第145页,共169页，2024年2月25日，星期天第146页,共169页，2024年2月25日，星期天二.常用半导体二极管、三极管主要参数查阅第147页,共169页，2024年2月25日，星期天硅、NPN1006A65WBD243C硅、PNP10020~20040~25150010008550硅、NPN10020~20040~25150010008050硅、NPN15064~20240~205006259013硅、PNP15064~20240~20-5006259012硅、NPN20~2001005A50W3DD15B硅、PNP≥10020~20040-5003003CG21C硅、NPN≥20020~200453007003DG12B硅、PNP≥20020~20035-5001003CG14F硅、NPN≥25020~200≤0.0145201003DG6C备注(MHz)(μA)(V)(mA)(mW)型号几种常见三极管的主要参数1.三极管的参数第148页,共169页，2024年2月25日，星期天⑴、判别基极及类型（NPN？PNP？）（1K?挡）将某一表笔（称之为第一支笔）碰某一电极，再用另一表笔去碰其它两电极，若测出的阻值都很小或很大，对调表笔后又都变为很大或很小，则第一支笔所碰电极为基极。且可确定管型。例如黑笔（第一支笔）接b,红笔阻值小NPN管确定基极后，在b、c间加人体电阻，看哪一次指针偏转大？大者黑笔为NPN管c极，红笔为e极；或大者红笔为NPN管c极，黑笔为e极。红笔（第一支笔）接b,黑笔阻值小PNP管⑵、集电极c和发射极e的判别2.三极管的极性判别第149页,共169页，2024年2月25日，星期天第5节单结晶体管及其触发电路5.1单结晶体管结构及工作原理1.结构B2第二基极B1N欧姆接触接触电阻P发射极E第一基极PN结N型硅片(a)示意图单结晶体管结构示意图