无机非金属材料科学基础-配套课件1-5章.pptVIP

DE、DS、DM分别代表刃型、螺型和混合型位错运动方式DE：滑移、攀移；DS：只滑移，不能攀移；DM：可以滑移，也可一面滑移（螺型分量），一面攀移（刃型分量）。运动面滑移面是由b和ξ决定的平面，即ξ×b。对DE、DM滑移面是唯一的；对DS滑移面是不唯一的，几何学上包含位错线的任何平面都可以是滑移面。DE攀移时运动面就是垂直于滑移面的半原子面。位错运动小结4.4.3扩展位错面心立方晶体中，能量最低的全位错是处在{111}面上的单位位错，对其在{111}面上的滑移情况进行分析。BC→Bδ+δC几何条件能量条件晶体在不同的应力状态下，其滑移方式不同。根据原子的滑移方向和位错线取向的几何特征不同，位错分为刃位错、螺位错和混合位错。位错的基本类型晶体在大于屈服值的切应力?作用下发生滑移。位错线是晶体已滑移部分和未滑移部分的交线，犹如砍入晶体的一把刀的刀刃，即刃位错。刃型位错刃型位错的几何特征位错线与原子滑移方向相垂直；滑移面上部位错线周围原子受压应力作用，原子间距小于正常晶格间距；滑移面下部位错线周围原子受张应力作用，原子间距大于正常晶格间距。间距是两两原子之间

上面缩小为压

下面伸长为拉刃型位错示意图：(a)立体模型;(b)平面图晶体局部滑移造成的刃型位错GHEF*螺形位错螺形位错（screwdislocation）的定义晶体中已滑移区与未滑移区的边界线（即位错线）若平行于滑移方向，则在该处附近原子平面已扭曲为螺旋面，即位错线附近的原子是按螺旋形式排列的这种晶体缺陷称为螺型位错。螺形位错的分类根据原子旋转方向的不同,螺型位错可分为左螺型和右螺型位错,通常用拇指代表螺旋前进方向，其余四指代表螺旋方向，符合右手法则的称右螺旋位错；符合左手法则的称为左螺旋位错。CBADABC螺旋方向是从底层到上层螺形位错的形成晶体在外加切应力?作用下，沿ABCD面滑移，图中BC线为已滑移区与未滑移区的分界处。由于位错线周围的一组原子面形成了一个连续的螺旋形坡面，故称为螺位错。*（b）螺位错滑移面两侧晶面上原子的滑移情况（a）与螺位错垂直的晶面的形状右螺旋实体为上层，空圈为下层ab之间对应*螺型位错示意图在外力?作用下，两部分之间发生相对滑移，在晶体内部已滑移和未滑移部分的交线既不垂直也不平行滑移方向（伯氏矢量b），这样的位错称为混合位错。混合位错*4.4.2位错的能量在位错线周围由于原子排列混乱而产生晶格畸变，位错的应变能可看作是以位错线为轴心，r为半径的圆柱体范围内的原子混乱排列能与晶格畸变能之和。为处理方便可将其分为两部分：一部分是r0为半径的援助芯部因原子混乱排列而产生的能量；另一部分是芯部周围的晶格畸变能。如除去半径r0的芯部，则单位长度位错的应变能E为式中，G为剪切模量；b为柏氏矢量的绝对值；v为泊松比；为位错线与柏氏矢量的夹角。在螺位错中由于=0故可得?位错的易动性原子的微小移动导致晶体产生一个原子间距的位移。多个位错的运动导致晶体的宏观变形。4.4.3位错的滑移和攀移位错的运动有两种基本形式：滑移和攀移。

在一定的切应力的作用下，位错在滑移面上受到垂直于位错线的作用力。当此力足够大，足以克服位错运动时受到的阻力时，位错便可以沿着滑移面移动，这种沿着滑移面移动的位错运动称为滑移。

刃型位错的位错线还可以沿着垂直于滑移面的方向移动，刃型位错的这种运动称为攀移。位错在滑移时是通过位错线或位错附近的原子逐个移动很小的距离完成的。位错滑移的机理*刃型位错：对含刃型位错的晶体加切应力，切应力方向平行于柏氏矢量，位错周围原子只要移动很小距离，就使位错由位置(a)移动到位置(b)。

当位错运动到晶体表面时，整个上半部晶体相对下半部移动了一个柏氏矢量晶体表面产生了高度为b的台阶。

刃型位错的柏氏矢量b与位错线t互相垂直，故滑移面为b与t决定的平面，它是唯一确定的。刃型位错移动的方向与b方向一致，和位错线垂直。位错的滑移*螺型位错

沿滑移面运动时，在切应力作用下，螺型位错使晶体右半部沿滑移面上下相对低移动了一个原子间距。这种位移随着螺型位错向左移动而逐渐扩展到晶体左半部分的原子列。

螺型位错的移动方向与b垂直。此外因螺型位错b与t平行，故通过位错线并包含b的随所有晶面都可能成为它的滑移面。当螺型