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IEG5620芯片数据手册
C带SD和DT功能MOS管驱动芯片
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2019©屹晶微电子有限公司版权所有REV1.0
屹晶微电子有限公司EG5620芯片数据手册V1.0
带SD和DT功能MOS管驱动芯片
版本变更记录
版本号日期描述
V1.02019年11月18日EG5620数据手册初稿
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屹晶微电子有限公司EG5620芯片数据手册V1.0
带SD和DT功能MOS管驱动芯片
目录
1.特性2
2.描述2
3.应用领域2
4.引脚3
4.1引脚定义3
4.2引脚描述3
5.结构框图4
6.典型应用电路4
7.电气特性5
7.1极限参数5
7.2典型参数6
7.3开关时间特性及死区时间波形图7
8.应用设计8
8.1Vcc端电源电压8
8.2输入逻辑信号要求和输出驱动器特性8
8.3自举电路9
9.封装尺寸10
9.1MSOP10封装尺寸10
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屹晶微电子有限公司EG5620芯片数据手册V1.0
带SD和DT功能MOS管驱动芯片
EG5620芯片数据手册V1.0
1.特性
高端悬浮自举电源设计,耐压可达100V
适应5V、3.3V输入电压
最高频率支持500KHZ
VCC电源带欠压保护
VCC电压范围5V-20V
输出电流能力IO+/-1.8A/2.5A
具有死区时间可调
����
SD输入通道低电平有效,关闭HO、LO输出。
外围器件少
封装形式:MSOP10
无铅无卤符合ROHS标准
2.描述
����
EG5620是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输
入处理电路、死区可调电路、电平
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