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第二章一维平面光波导一、一维平面光波导及其几何光学描述二、一维平面光波导的波动光学描述

一、一维平面光波导及其几何光学描述平面光波导半导体光电子器件、LiNbO3波导器件、平面光波回路PLC一维平面光波导的基本结构由多层平板介质构成的波导结构，折射率在垂直于介质分界面的方向上发生变化。三层均匀一维平面光波导n4n1n2n3限制层波导层限制层n3n1n2xyzh对称结构：n2=n3非对称结构：n2?n3

传输常数波矢量在传输方向上的分量相干加强条件同一波阵面上各点的振动情况完全相同，相位相同或相差2?整数倍k=k0n1特征方程kkxkzhABCD波前n1n2n3??3?2

kkxkz横向谐振条件=特征方程TE模、TM模反射时相位损失（?2+?3）不同，因此特征方程不同。一个m，两个模式TEm模、TMm模截止波长?cm当光波波长超过?cm时，指标m的模式截止全反射条件特征方程模式数偏振简并：TE、TM模式总数约2M基模：TE0模截止波长最长！

模式命名根据场的纵向分量Ez和Hz的存在与否,可将模式命名为:(1)横电磁模(TEM):Ez＝Hz＝0;(2)横电模(TE): Ez＝0,Hz≠0;(3)横磁模(TM): Ez≠0,Hz＝0;(4)混杂模(HE或EH):Ez≠0,Hz≠0。n1n2

归一化传输常数的引入及模式传输常数的表示模式传输常数有效折射率

归一化频率截止波长?cm归一化频率m0的模式都将被截止

二、一维平面光波导的波动光学描述

几何光学描述：给出波导特性清晰的物理图象和解释；结论粗糙，不能够获得有关电磁场模式在波导内的具体场分布和传输特性等方面的完整细节。波动光学描述：从Maxwell方程组出发，结合电磁场的边界条件获得光波导的严格理论分析：各模式的场分量分布和特征方程。

波动理论是一种比几何光学方法更为严格的分析方法,其严格性在于:(1)从光波的本质特性──电磁波出发,通过求解电磁波所遵从的麦克斯韦方程,导出电磁场的场分布,具有理论上的严谨性;(2)未作任何前提近似,因此适用于各种折射率分布的单模光和多模光波导。

一维平面光波导的波动光学描述

波动光学描述：各模式的场分量分布和特征方程的获得----由于Maxwell方程组的约束，实际当中，并不需要对其逐一求解，只要求得电场或磁场的两个分量，即可以获得电磁场的其他四个分量。对应关系如下：

纵向场与横向场横向电场和横向磁场之间关系电磁场纵向分量和横向分量之间关系

场分解均匀性与对称性限制层波导层限制层n3n1n2xyzh一维均匀平面光波导中，电磁场在y方向均匀，对于波导沿Z方向传输的电磁波，其任意的电磁场分量均具有如下形式：

模式分类TE模TM模场的迭加原理：波导内的电磁场总可以分解为两种正交的偏振状态来进行分析？

Maxwell方程直角坐标系内的形式

直角坐标系内的形式TETM

利用纵向场与横向场的对应关系进一步可得：TE模TM模

一维平面光波导的场方程及其解限制层波导层限制层n3n1n2xyzh光波导将空间分为三个均匀的区域，各区域内电磁场分量的切向分量在介质分界面上满足连续性条件。三个区域内的电磁场的各个直角分量均满足下述波动方程：

场方程模式解切向分量连续?（Ey，Hy），（Ez，Hz）？?：衰减系数导模条件：

特征方程TE模Hz连续2kxh+?2+?3=2m?kkxkz

TM模Ez连续特征方程kkxkz

几点说明波动光学获得TE模式和TM模式的特征方程与几何光学分析获得的横向谐振条件类似，但是表述起来更为严格。求解特征方程，可以获得传输常数的一系列解，每一个解对应一个模式。由传输常数可以获得其他的分布参数，进一步得出电磁场的各个场分量。

模式的基本特征 ----每一个模式对应于沿光波导轴向传播的一种电磁波; ----每一个模式对应于某一本征值并满足全部边界条件; ----模式具有确定的相速群速和横场分布. ----模式是波导结构的固有电磁共振属性的表征。给定的波导中能够存在的模式及其性质是已确定了的,外界激励源只能激励起光波导中允许存在的模式而不会改变模式的固有性质。

模式的基本性质波动光学全反射条件衰减速度分布深度近截止远离截止场分布进入n2介质内很深场分布很好地限制在波导层内限制层内衰减几何光学