半导体材料的基本特性.ppt

集成电路的制造步骤★硅片制造★硅片制备★硅片测试/拣选★装配与封装★终测第31页,共34页，2024年2月25日，星期天★硅片制备在这一阶段，将硅从沙中提炼并纯化，经过特殊工艺生产适当直径的硅锭，然后将硅锭切割。第32页,共34页，2024年2月25日，星期天★硅片制造自硅片开始的微芯片制作是第二阶段，称为硅片制造。裸露的硅片到达硅片制造厂，然后经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂步骤，加工完的硅片具有永久刻蚀在硅片上的一套集成电路。★硅片测试/拣选硅片制造完成后，硅片被送到测试和拣选区，在那里进行单个芯片的探测和电学测试，拣选出不合格的芯片。第33页,共34页，2024年2月25日，星期天感谢大家观看第34页,共34页，2024年2月25日，星期天关于半导体材料的基本特性原子结构由三种不同的粒子构成：中性中子和带正电的质子组成原子核，以及围绕原子核旋转的带负电核的电子，质子数与电子数相等呈现中性。第2页,共34页，2024年2月25日，星期天电子能级原子级的能量单位是电子伏特，它代表一个电子从低电势处移动到高出1V的的电势处所获得的动能。价电子层原子最外部的电子层就是价电子层，对原子的化学和物理性质具有显著的影响，只有一个价电子的原子很容易失去这个电子，有7个价电子的原子容易得到一个电子，具有亲和力。第3页,共34页，2024年2月25日，星期天共价键不同元素的原子共有价电子形成的粒子键，原子通过共有电子来使价层完全填充变得稳定。束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足够的能量，不易脱离轨道。第4页,共34页，2024年2月25日，星期天离子键当价电子层电子从一种原子转移到另一种原子上时，就会形成离子键，不稳定的原子容易形成离子键。第5页,共34页，2024年2月25日，星期天半导体分类本征半导体：几乎不含任何杂质的半导体。自由电子当导体处于热力学温度0?K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。空穴自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。第6页,共34页，2024年2月25日，星期天概念：掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。N型半导体：在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，氮自由电子—多数载流子（由两部分组成）空穴——少数载流子杂质半导体第7页,共34页，2024年2月25日，星期天P型半导体在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。自由电子—少数载流子空穴——多数载流子（由两部分组成）第8页,共34页，2024年2月25日，星期天能带结构电子的共有化运动——满足能量最低原理——泡利不相容原理第9页,共34页，2024年2月25日，星期天能带结构的形成两个原子靠近时，电子波函数将重叠。这时泡利不相容原理不允许一个量子态上有两个电子存在，于是一个能级将分裂为2个能级，N个原子靠近时，一个能级将分裂为N个相距很近的能级，形成能带第10页,共34页，2024年2月25日，星期天价带：被价电子填充的能带导带：被自由电子填充的能带禁带：导带底与价带顶之间能带带隙：导带底与价带顶之间的能量差第11页,共34页，2024年2月25日，星期天能带的特点：能带的宽窄由晶体的性质决定,与所含的原子数无关。能量较高的能带比较宽，能量低的较窄。每个能带中的能级数目与晶体中的原子数有关。能带中能量不连续第12页,共34页，2024年2月25日，星期天常见半导体——硅硅是一种元素半导体，4个价电子，正好位于优质导体和绝缘体之间。选择硅的主要理由：硅的丰富度更高的熔化温度允许更宽的工艺容限更高的工作温度范围氧化硅的自然形成第13页,共34页，2024年2月25日，星期天半导体产业的发展半导体产业发展的基础是在20世纪上半业开发的技术上培育出来的，关键技术是在工业和学术网中获取的。半导体产业第14页,共34页，2024年2月25日，星期天半导体发展趋势半导体发展趋势——微电子时代电子时代是由电子真空阶段延续到固体电子阶段的。当分立器件逐步过渡到集成电路阶段时，出现了诸如半导体器件集成化、电子系统集成化、电子系统微型化，也就出现了微电子时代第15页,共34页，2024年2月25日，星期天电子技术的发展电子技术的发展是