场效应管及放大电路.ppt

*很大，可忽略。场效应管的微变等效电路为：GSDuGSiDuDSSGDugsgmugsudsSGDrDSugsgmugsuds第32页,共45页，2024年2月25日，星期天*共源极放大电路uoUDD=20VRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150k50k1M10k10kGDS10ksgR2R1RGRL'dRLRD微变等效电路第33页,共45页，2024年2月25日，星期天*sgR2R1RGRL'dRLRDro=RD=10k?第34页,共45页，2024年2月25日，星期天*共漏极放大电路－源极输出器uo+UDDRSuiC1R1RGR2RL150k50k1M10kDSC2G第35页,共45页，2024年2月25日，星期天*uo+UDDRSuiC1R1RGR2RL150k50k1M10kDSC2Griroro?gR2R1RGsdRLRS微变等效电路第36页,共45页，2024年2月25日，星期天*riroro?gR2R1RGsdRLRS微变等效电路输入电阻ri第37页,共45页，2024年2月25日，星期天*输出电阻rogd微变等效电路roro?R2R1RGsRS第38页,共45页，2024年2月25日，星期天*场效应管放大电路小结(1)场效应管放大器输入电阻很大。(2)场效应管共源极放大器(漏极输出)输入输出反相，电压放大倍数大于1；输出电阻=RD。(3)场效应管源极跟随器输入输出同相，电压放大倍数小于1且约等于1；输出电阻小。第39页,共45页，2024年2月25日，星期天*设:gm=3mA/V?=50rbe=1.7K例题:前级:场效应管共源极放大器后级:晶体管共射极放大器求:总电压放大倍数、输入电阻、输出电阻+UCCRS3M(+24V)R120KUi10KC2C3R4R3RLRE282K43K10K8KUo10KC1RCT1RE1CE2T2USCE1RD10KR21M第40页,共45页，2024年2月25日，星期天*（1）估算各级静态工作点:（略）（2）动态分析:微变等效电路R3R4RCRLRSR2R1RDIbIdrbeIcUGS首先计算第二级的输入电阻ri2=R3//R4//rbe=82//43//1.7=1.7k?第41页,共45页，2024年2月25日，星期天*R3R4RCRLRSR2R1RDIbIdrbeIcUGS第二步:计算各级电压放大倍数2=-?RC2//RLrbe=-50(10//10)/1.7=-147AV1=-gmRL1=-gm(RD//ri2)=-3(10//1.7)=-4.4第42页,共45页，2024年2月25日，星期天*R3R4RCRLRSR2R1RDIbIdrbeIcUGS第三步:计算输入电阻、输出电阻ri=R1//R2=3//1=0.75M?ro=RC=10k?第43页,共45页，2024年2月25日，星期天*R3R4RCRLRSR2R1RDIbIdrbeIcUGS第四步:计算总电压放大倍数riRS+riAVS=AV?=647?750/(20+750)=630第44页,共45页，2024年2月25日，星期天*感谢大家观看第45页,共45页，2024年2月25日，星期天**关于场效应管及放大电路**一、场效应晶体管(FET)的分类N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)§4.1结型场效应管第2页,共45页，2024年2月25日，星期天*1、结构源极，用S或s表示N型导电沟道漏极，用D或d表示P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号二、结型场效应管的结构和工作原理第3页,共45页，2024年2月25日，星期天*UGS<0,UDS=0VPN结反偏，|UGS|越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。2、工作原理（以N沟道为例）第4页,共45页，2024年2月25日，星期天*ID|UGS|