2013年4月自考02234电子技术基础一试题及答案含解析.pdfVIP

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0223420134

电子技术基础（一）年月真题

1、【单选题】杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于

A:掺杂工艺

B:温度

C:杂质种类

D:晶体缺陷

答案：B

解析：[解析]本题主要考查的知识点为杂质半导体中，影响少数载流子浓度的因素。[要

点透析]在杂质半导体中，少数载流子完全由本征激发产生，其浓度取决于半导体中本征

激发的剧烈程度，由于温度是影响本征激发剧烈程度的主要因素，故

自考资料vx 344647

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