HF80N03NF 3.7mΩ 30V 80A N-MOS PDFN5×6 深圳黑锋科技.pdf

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HF80N03NF

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

DESCRIPTION

TheHF80N03NFisthehighcelldensityTrenchMOSFET,whichprovideexcellentRDSONand

gatechargeforDC/DCconvertersapplication.

TheHF80N03NFmeettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteed

withfullfunctionreliabilityapproved.

Features

HighdensitycelldesignforultralowRdson150°Coperatingtemperature

Verylowon-resistanceRDS(on)Pb-freeleadplating

GoodstabilityanduniformitywithhighEAS

TypicalApplicationCircuitBVDSSRDSONID

30V3.7mΩ80A

HF80N03NFTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings(Tc25℃unlessotherwisenoted)

ParameterSymbolLimitUnit

Drain-SourceVoltageVDS30V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

DrainCurrent-ContinuousID80A

DrainCurrent-Continuous(T100℃)I(100℃)

CD30A

PulsedDrainCurrentIDM150A

MaximumPowerDissipationPD45W

Deratingfactor0.36W/℃

Singlepulseavalancheenergy(Note5)EAS150mJ

OperatingJunctionandStorageTemperatureRangeT,T

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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