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绝缘栅双极晶体管

2.4绝缘栅双极晶体管

1)IGBT的结构和工作原理

三端器件：栅极G、集电极CE

图1-22IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号

a)内部结构断面示意图b)简化等效电路c)电气图形符号

1-2

2.4绝缘栅双极晶体管

IGBT的结构

图1-22a—N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT。

+

IGBT比VDMOSFET多一层P注入区，具有很强的通流能力。

简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结

构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。

R为晶体管基区内的调制电阻。

N

图1-22IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号

a)内部结构断面示意图b)简化等效电路c)电气图形符号

1-3

2.4绝缘栅双极晶体管

IGBT的原理

驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅

射极电压uGE决定。

导通：u大于开启电压U时，MOSFET内形成沟道，

GEGE(th)

为晶体管提供基极电流，IGBT导通。

通态压降：电导调制效应使电阻R减小，使通态压降减小。

oN

关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道

消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。

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2.4绝缘栅双极晶体管

2)

IGBT的基本特性输出特性

(1)

IGBT的静态特性•分为三个区域：

正向阻断区、有

II源区和饱和区。

CC有源区

饱

和

区

UGE增加

U

GE(th)

URM反向阻断区正向阻断区

OUUOUU

GE(th)GEFMCE