原创力文档- 1、本文档共66页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
Unit3CMOS电路子系统设计;Unit1绪论
Unit2CMOS电路设计根底
Unit3CMOS电路子系统设计;Memories;MemoryTiming:Definitions;MemoryArchitecture:Decoders;Array-StructuredMemoryArchitecture;HierarchicalMemoryArchitecture;Read-onlymemory(ROM);ROMCells;MOSORROM;MOSNORROM(1);MOSNORROM(2);MOSNANDROM;EquivalentTransientModelforMOSNORROM;EquivalentTransientModelforMOSNANDROM;DecreasingWordLineDelay;PrechargedMOSNORROM;Non-VolatileMemories(NVM);Floating-gatetransistor(FAMOS);Floating-GateTransistorProgramming;A“Programmable-Threshold”Transistor;Programminganderasure;FLOTOXEEPROM;EEPROMCell;BasicOperationsinaNORFlashMemory―Erase;BasicOperationsinaNORFlashMemory―Write;BasicOperationsinaNORFlashMemory―Read;Read-WriteMemories(RAM);SRAM(StaticRAM);SRAMcell;SRAMcelloperation;Resistance-loadSRAMcell;SRAMCharacteristics;DRAM(DynamicRAM);3-transistorDRAM;3TDRAMcelloperation(1);3TDRAMcelloperation(2);1-transistorDRAM;1TDRAMcelloperation(1);1TDRAMcelloperation(2);SenseAmpOperation;1TDRAMcell的物理结构;1TDRAM的新物理结构;DRAMCellObservations;PeripheryforArray-StructuredMemory;Decoder;行地址的原码和补码
或非门?与门
(A9+A8’+A7…)’＝A9’A8A7’…
当行地址为010…选中该字线;SRAMsenseamp;SRAMsenseampoperation;SummaryforMemories;微处理器根本结构
控制器
运行速度
指令吞吐量=每秒执行的指令数MIPS如10MIPS;取指令，预处理
后送到DATAPATH;CSIC/RISC体系结构
流水线技术
高速缓存(Cache)
;CSIC体系结构
CISC指复杂指令集计算机，它的目的是要用最少的机器语言指令来完成所需的计算任务，所以指令集庞大。早期的CPU全部是CISC结构
CISC微处理器通过一种嵌入到微处理器内部的微编程技术来获得大型指令系统，就是把一条根本的指令分解为微指令
;
CISC微处理器根本结构框图
add
sub
lw
sw
and
嵌入微处理器内部的微编程技术
优点：指令系统可以灵活配置
缺点：复杂，指令执行周期长;
RSIC体系结构
文档评论（0）