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现代器件
刘飞
：liufei@mail.sysu.edu.cn
中山大学理工学院
第五章结型场效应晶体管
5.1JFET结构与工作原理
5.2MESFET
5.4直流特性的非理想效应
5.5JFET交流小信号特性
克莱缓变沟道近似模型：(长沟道JFET)
1.模型建立的基本物理前提：
(1)沟道杂质均匀分布，栅结为单边突变结；
(2)沟道中载流子的迁移率为常数；
(3)忽略有效沟道区外(源、漏区及欧姆接触)的电压降;
(即器件全部电压降都发生在有效沟道区)
(4)进行缓变沟道近似(GCA)即，ExEy。
xy
(即电场沿x方向的变化率远大于沿y方向的变化率)
2.JFET的直流特性计算前的规定：
(1)坐标轴规定：
a.x方向：为沟道厚度方向；
b.y方向：为沟道长度方向；
c.z方向：为沟道宽度方向。
(2)基本物理参数规定：(a＝b(y)+h(y))
a.a：冶金沟道半厚度(沟道区最大半厚度)；
b.b：沟道半厚度(实际y处的沟道半厚度)；
c.L：沟道长度；
d.W：沟道宽度；
e.h：栅耗尽区厚度(栅结耗尽区x方向的扩展距离)
L
P+
O
hy
a
Sb
xN
P+VGS
G
JFET直流特性的坐标系
3.JFET的直流特性的具体计算：
(1)物理过程分析：
a.栅区:高掺杂、电阻率很低，为等电势(即无电压降);
b.栅结：由源端到漏端，耗尽区厚度逐渐增大；
(当y=0时，V(y)=0,当y＝L时，V(y)=V)
DS
c.沟道区：当V不变时，沟道电阻随V增大而增大。
GSDS
(2)具体计算过程：(以对称D型N沟JFET为例)
a.沟道中y处的电流密度：J(y)−qNdV(y)
nnD
而势垒区宽度1dy
2(V(y)+V−V)2
h(y)0s
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