有机硅化合物中金属杂质的去除方法.docxVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明书

（10）申请公布号

CN104592291B

（43）申请公布日2017.12.29

（21）申请号CN201310530885.1

（22）申请日2013.10.30

申请人中国科学院上海高等研究院

地址201210上海市浦东新区海科路99号

发明人王万军;袁京;杜丽萍;黄祚刚;姜标

（74）专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人李仪萍

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

有机硅化合物中金属杂质的去除方法

（57）摘要

本发明提供了一种有机硅化合物中金属杂质的去除方法，该方法包括以下步骤：

将待提纯的有机硅化合物与预定比例的金属吸附剂和极性溶剂混合形成混合物；

在一定温度和常压下搅拌一定的时间；

分阶段升高加热温度，在一定的真空度下，将混合物汽化然后冷凝，分别将不同阶段的馏分收集在不同的接收瓶中。本发明解决了高纯有机硅氧烷在制备过程中有机杂质和金属杂质难去除的问题，特别是环聚硅氧烷中微量金属离子的去除，使有机硅氧烷中