半导体物理第3章.ppt

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2024-05-21 发布于四川
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第3章载流子输运现象3.;本章节主题电流密度方程式;3.1载流子漂移E=0;3.1.1迁移率载流子的漂移;两种散射机制晶格散射：由于高于;3.1.2电阻率载流子的漂移;测量电阻率最常用方法：四探针法;3.1.3霍耳效应直接测量载;霍耳效应的相关内容霍耳效应;3.2载流子扩散电子;3.3产生与复合过程热平衡;电流密度方程式当浓度梯度与电场;复合机制非热平衡状态，pn;3.3.1直接复合直接复合;非平衡载流子的寿命产生非平衡载;3.3.2间接复合非;3.3.3表面复合——在半导;3.4连续性方程式连续性方程;连续性方程：稳态连续性方程：空;3.4.1单边稳态注入扩散长;3.4.2表面的少数载流子;3.5热电子发射过程：假如载;对硅晶体，电场不太高时，漂移速;雪崩过程：当半导体中的电场增加;作业3P801,4(