氧氮化铝透明陶瓷的制备及其性能研究.pdf

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氧氮化铝透明陶瓷

的制备及其性能研

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究

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PARTOne

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PARTThree

氧氮化铝透明陶瓷

的性能表征的

PARTFive

氧氮化

的制

原料选择与处理

l原料选择：选择高纯度的氧化铝和氧化氮作为主要原料

l原料处理：对原料进行研磨、混合、干燥等处理

l原料配比：根据实验要求调整原料配比

l原料纯度：确保原料纯度符合实验要求

制备工艺流程

抛光：

行抛光

混合：将原料混合均匀

烧结：在特定温度下进

烧结

原料准备：氧化铝、氮

化铝、氧化铈等

冷却：冷却至室温

烧结工艺参数

烧结温度：1500-1800℃

烧结时间：1-2小时

烧结气氛：真空或惰性气体

烧结压力：0.1-0.5MPa

制备过程中的关键技术问题

原料选择：选择合适的原料，如氧化铝、

氧化铈等过短

烧结温度：控制烧结温度，避免过高或

过低过

氧氮化

光学性能

透明度：高透明度，可见光透过率高

折射率：低折射率，有利于光学器件的设计和应用

色散：低色散，有利于光学器件的成像性能

力学性能

l硬度：高硬度，耐磨损

l强度：高强度，抗冲击

l韧性：高韧性，抗断裂

热学性

热膨胀系数：氧氮化铝透明

陶瓷的热膨胀系数较小，具的

有较好的热稳定性

导热系数：氧氮化铝透明陶

瓷的导热系数较高，具有良

好的导热性

电学性能

导电性能：具有导电性，可

用于制作导电陶瓷适用于

绝缘性能：具有良好的绝缘

性能，适用于高电压、高频

率的电子设备

氧氮化