模拟电路基础-PN结.ppt

N区基片1-2PN结（PNJunction）在N型（P型）半导体的基片上，采用扩散工艺制造一个P型（N型）区，则在P区和N区之间的交界面附近，将形成一个很薄的空间电荷层，称之为PN结。P区PN结P区N区1.2.1PN结的形成N区的电子向P区扩散并与空穴复合P区的空穴向N区扩散并与电子复合空间电荷区内电场方向多子扩散少子漂移内电场方向空间电荷区P区N区当扩散与漂移达到动态平衡，空间电荷区的宽度基本稳定下来，此时扩散运动和漂移运动同时存在，所产生的电流大小相等方向相反，净电流为0。空间电荷区又称为耗尽层、势垒、阻挡层。空间电荷区P区N区内电场VD室温下，Si:VD=0.6~0.8V;:VD=0.2~0.3VNA:施主杂质浓度；ND:受主杂质浓度对称PN结不对称结：P+N结1、正偏时的PN结将P区接电源的正极，N区接电源的负极，称为PN结正偏。注释：偏置（Bias:theword‘bias’referstoadcvoltage(orcurrent)thatismaintainedinadevicebysomeexternallyconnectedsource)1.2.2PN结的单向导电性内电场方向E外电场方向RIP区N区外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷N区电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷空间电荷区变窄扩散运动增强，形成较大的正向电流1、正偏时的PN结空间电荷区变窄，扩散运动漂移运动P区N区内电场方向ER空间电荷区变宽外电场方向外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走少数载流子越过PN结形成很小的反向电流多数载流子的扩散运动难于进行2.反偏时的PN结PN结的单向导电性：正偏时，产生较大的正向电流，反偏时，反向电流很小，这种特性称为单向导电性。3、PN结的伏安特性PN结的伏安方程反向饱和电流，与材料和温度有关室温下为26mv600400200–0.1–0.200.40.8–50–100I/mAU/VPN结的伏安特性反向特性死区电压正向特性1-2-3PN结的温度特性0IU/V保持正向电流不变，温度每升高1oC，结电压降低2mv-2.5mv温度每升高10oC，反向饱和电流增加一倍为保证PN结正常工作，有一个最高温度限制。Si材料PN（150-200oC),Ge材料PN(75-100oC)20oC60oC600400200–0.1–0.200.40.8–50–100I/mAU/V正向特性反向击穿特性PN结的伏安特性反向特性死区电压1-2-4PN结的击穿特性1、什么是PN结的击穿？当反向电压不断加大到某一电压UBR，此时反压稍有增大，反向电流会急剧增加，这种现象就是PN结的击穿。2、PN结击穿按原理分类：分为雪崩击穿、齐纳击穿雪崩击穿：轻掺杂、高反压齐纳击穿：重搀杂、低反压3、PN结击穿按结果分类：电击穿：限制击穿时的电流，只要功耗不超过允许值，反压去掉，PN结特性仍可恢复热击穿：击穿后电流大，电压高，如果功耗超过允许值，热量无法散失，使结温升高直到过热而烧毁，为热击穿。1-2-5PN结电容PN结具有电容特性，按产生的原因可分为扩散电容和势垒电容。1.势垒电容CT：从结构看，导电性良好的P区和N区间夹杂高阻的耗尽区，与平板电容相似。内电场方向E外电场方向RIP区N区外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷N区电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷空间电荷区变窄势垒电容CTa.当PN结正向偏置电压升高时空间电荷层中的电荷量减少PN结变宽空间电荷层中的电荷量增大b.当PN结正向偏置电压降低时可见，空间电荷量随着PN结偏置电压的变化而变化。这种电容效应用势垒电容CB表征。U-?U(?U0)PN++++++++++++这种电容效应用扩散电容CD表征。PN结正向偏置电压越高，非平衡少子的积累越多。PN+++