电子技术试题.docx

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《模拟电子技术》综合复习资料

第一章 常用半导体器件一、选择

1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是

[A

]

A.

NPN型硅管

B.

PNP型硅管

C.

NPN型锗管

2V 6V

D.

PNP型锗管

1.3V

2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[D ]A.饱和

B.放大C.截止D.已损坏

3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是 [ C ]

A.I=2mA B.I2mA

C.I2mA D.不能确定

4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [B ]A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

5、二极管的主要特性是 [C ]

A.放大特性 B.恒温特性

C.单向导电特性 D.恒流特性

6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将 [ B]A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定

7、下列选项中，不属三极管的参数是 [ B ]A.电流放大系数β B.最大整流电流IF

C.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM

8、温度升高时，三极管的β值将 [ A ]

A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定

9、在N型半导体中，多数载流子是 [ A ]

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A.电子 B.空穴 C.离子 D.杂质

10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [A ]A.正向电阻小反向电阻大 B.正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小 D.正向电阻反向电阻都大

11、 在P型半导体中，多数载流子是 [B ]

A.电子 B.空穴 C.离子 D.杂质

二、填空

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子的浓度则与本征激发 有很大关系。

2、温度升高时，晶体管的电流放大系数β增大 ，反向饱和电流I 增大 ，正向结

CBO

电压U 变小 。(a.变大，d.变小，c.不变)

BE

3、在本征半导体中，电子浓度

等于

空穴浓度；

4、在P型半导体中，电子浓度

小于

空穴浓度；

5、在N型半导体中，电子浓度

大于

空穴浓度。

4、二极管的最主要特性是单向导电性 。

5、双极型晶体管从结构上看可以分成 NPN 和PNP 两种类型，它们工作时有自由电子 和空穴 两种载流子参与导电。

6、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于正向 偏置，集电结处于反向 偏置。

三、判断对错

1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ⅹ）

2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ⅹ）

3、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ⅹ ）

4、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ⅹ ）

四、

在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。已量出I=-1.2mA，I=-0.03mA，I=1.23mA。

由此可知：

1 2 3

1、电极①是 C 极，电极②是 B 极，电极③是 E 极。

2、此晶体管的电流放大系数 约为 40 。

3、此晶体管的类型是 PNP 型（PNP或NPN）。

①l

①

1

l

2

T ②

③ l3

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五、

测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示

1判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极；

（a）NPN 4mA-C 4.1mA-E0.1mA-B

(b) PNP 6mA-C 6.1mA-E0.1mA-B2估算(b)图晶体管的? 和? 值。

(a)?=40 ?=40/41

(b)?=60 ?=60/61

六、

D判断各下图中二极管导通状态，并标出U 的值。各二极管导通电压U ?0.7V。

D

o

左图：D1D3D2导通D4截止 Uo=2.1V右图：D2导通D1截止 Uo=-6V

七、

电路如下图所示，若UI=10V，R=100?，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，允许电流的变动范围是Izmin=5mA,Izmax=30mA,求负载电阻RL的可变范围。

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解：满足两个条件：

1、稳压的条件：R〉150?

L

2、电流条件满足：R〉171?且R600?

L L

综合：R〉171?且R600?

L L

八、

稳压管稳压电路如下图所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为10mA~50mA，限流电阻R=500?。试求