2022-2023学年高二物理竞赛课件：静电场中的导体和电介质小结(1).pptx

静电场中的导体和电介质小结

一、静电场中的导体

1.导体的静电平衡条件

场强：

陕面⊥表面或电势：导体是等势体

表面是等势面

静电场中的导体和电介质小结

2.静电平衡时导体上的电荷分布

9内=0,σ=E₀E

当地表面紧邻处的电场强度

3.静电屏蔽：

腔内无电荷，屏蔽外电场，(外面进不来)

接地腔内有电荷，屏蔽内电场(里面出不去)

分析两类静电平衡的电荷电场分布

4.有导体存在时静电场的分析与计算

(1)分析方法：·用电荷守恒

·用静电平衡条件

·用高斯定理

.场强积分求电势

(2)常见导体组：·板状导体组

·球状导体组

二、静电场中的电介质

1.电介质的极化：在外电场的作用下，电介质表面出现束缚电荷的现象(均匀电介质),叫做电介质的极化。

无极分子电介质的极化----位移极化

有极分子电介质的极化----转向极化

2.电极化强度：对各向同性电介质，在电场不太

强的情况下

P=E₀(E₁-1)E=XE₀E

%=E-1

介质电极化率

束缚电荷

3.电介质表面束缚电荷密度：σ=Pcosθ=P.e。

束缚电荷的面密度：在数值上就等于极化强度矢量在介质表面法线方向的分量。

4.电位移矢量：b=ε₀E+P

5.D的高斯定理：通过任意封

闭曲面的电位移通量等于该封闭面包围的自由电荷的代数和。

{D.ds=Z90内

6.静电场中有电介质时解题思路：

问题：E=E。+Eq?

在电荷分布具有某种对称性的情下，首先由D的

高斯定理出发求解

b高斯定理D=EE,EP=e₀(e-1)Eσ=p·n

qD→E→P→o→G

q=Jσdb=fp.ds

1.典型的电容器电容的计算

做0—E—U—c=

平行板球形柱形

三、电容器的电容

c-9-mmk

c=0

d

四、电容器的能量

电容器的贮能公式

电介质中

电场能量密度：

1.串联：

2.并联：

c=Zc;

电容器组

W

9+0-

以平行板电容器为例，匀强电场，能量均匀分布

已知：

结果可以推广到非均匀电场，普通电容器

微分即可

电场能量密度：

能量密度取决于电场和电位移矢量，二者同等重要