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行业研究2024.05.12

电子行业专题报告

先进封装专题八：CoWoS-L——下一代大尺寸高集成封装方案

方正证券研究所证券研究报告

分析师

CoWoS-S升级迭代，中介层面积增加、多芯片翘曲等带来升级过程诸多挑

郑震湘登记编号：S1220523080004战。CoWoS能够在紧凑平面并排集成多个芯片，提供更高集成度，目前已广

泛用于HPC和AI芯片的封装。为能够排列更多芯片、容纳更多晶体管从而

佘凌星登记编号：S1220523070005提高系统性能，中介层面积需要不断扩大。通过四重掩模光刻拼接技术，台

积电CoWoS-S5将硅中介层面积扩展到相当于三个完整掩模尺寸，最多已能

刘嘉元登记编号：S1220523080001

够实现3颗SoC芯片和8个颗HBM共封。在继续增加硅中介层尺寸至下一

代4x掩膜版尺寸过程中，超过四重掩模拼接的光刻过程复杂性带来了中介

行业评级:推荐层制造大量生产效率损失。不同掩模间边界拼接误差控制也非常具有挑战。

此外不同堆叠方式和材料构成的顶层芯片翘曲行为非常复杂、不易控制。

行业信息

上市公司总家数509CoWoS-L无需掩膜拼接，解决大型硅中介层良率问题，带来更高灵活性。

CoWoS-L中介层包括多个局部硅互连（LSI）芯片和全局重布线（global

总股本(亿股)4,986.78

RDL），形成一个重组中介层（RI），以替代CoWoS-S中的单片硅中介层。

销售收入(亿元)13,211.67LSI芯片保留了硅中介层的所有优秀特性，包括保留亚微米铜互连、硅通孔

利润总额(亿元)680.77（TSV）和嵌入式深沟槽电容器（eDTC），以确保良好的系统性能，同时避

行业平均PE160.82免了单个大型硅中介层的良率损失问题。此外，RI中引入了绝缘体通孔

（TIV）作为垂直互连，比TSV插入损耗更低。目前台积电已成功实现具有

平均股价(元)26.69

3倍掩膜版尺寸的中介层的CoWoS-L结构，搭载多个SoC/芯片和8个HBM，

稳定的可靠性结果和卓越的电气性能表明，CoWoS-L架构有望延续CoWoS-S

行业相对指数表现的扩展势头，以满足未来2.5D系统在HPC和AI深度学习中的需求。

15%从产业链角度，OSAT厂商有望在CoWoS-L结构中承担更重要的角色。目前

7%台积电CoWoS平台仍然是全球主流2.5D封装解决方案。CoWoS-L结合InFO

-1%和CoWoS的优势，将硅桥、无源器件和RDL等集成，从而优化良率、控制翘

-9%曲、提升系统性能。CoWoS-L的工艺流程包括制造中介层、在中介层双面制

-17%造RDL、制造LSI芯片以及嵌入新一代eDTC。相比CoWoS-S中介层整片晶

-25%圆的应用，OSAT厂商对CoWoS-L的TIV及有机中介层上下表面RDL技术都

23/5/1223/7/2423/10/523/12/1724/2/2824/5/11比较成熟，OSAT厂商在CoWoS-L