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本发明公开了一种具有屏蔽栅极电阻的屏蔽栅沟槽MOSFET结构，所述屏蔽栅极电阻位于屏蔽栅极总线位置，该区域属于终端区域，为深沟槽结构，深沟槽与有源区屏蔽栅深沟槽深度一致。本发明通过增加该结构，在不改变原屏蔽栅沟槽MOSFET工艺难度和掩膜版层数的前提下，制造成本不变，能够减缓屏蔽栅极电容充放电速度，改善屏蔽栅沟槽MOSFET的快速开关产生的源漏电压阻尼震荡，同时也会降低二极管反向恢复产生的反向电压尖峰。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073414A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211470282.2
(22)申请日2022.11.23
(71)申请人龙腾半导体股份有限公司
地址71
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