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本申请提供了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括：位于衬底上的第一沟道图案和第二沟道图案、分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案接触的第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案、以及分别与所述第一沟道图案和所述第二沟道图案交叠的第一栅极电极和第二栅极电极。所述第一栅极电极可以包括位于所述第一沟道图案的所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间的第一段。所述第一段可以包括朝向所述第一源极/漏极图案突出的第一凸出部分。所述第二栅极电极可以包括位于所述第二沟道图案的所述第三半导体图案与所述第四半导体图
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109904156A
(43)申请公布日
2019.06.18
(21)申请号20181
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