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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种超级结器件深沟槽浓度监测方法,包括:沿长度方向将各条深沟槽掺杂外延填充结构从一端至另一端设置多个等间隔的量测位;量测所有深沟槽掺杂外延填充结构中各个量测位的长度电阻;分别线性拟合各个深沟槽掺杂外延填充结构的所有量测位与对应长度电阻之间的第一线性关系;确定第一线性关系的斜率为对应深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电阻率;计算对应各个深沟槽掺杂外延填充结构的单位长度电导率;得到深沟槽掺杂外延填充结构的宽度与单位长度电导率之间的第二线性关系;确定第二线性
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073216A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410137475.9
(22)申请日2024.01.31
(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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