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本发明公开了一种低翘曲半导体激光器及其制备方法。该激光器包括衬底；外延结构层，设置于所述衬底的一侧；防翘曲层，设置于所述衬底远离所述外延结构层的一侧表面；所述防翘曲层沿着远离所述衬底的方向依次设置有黏附金属层、三维界面区域和难熔金属层。本发明所提供的一种低翘曲半导体激光器通过在衬底的另一侧表面形成防翘曲层，使衬底的内部产生第二内应力来平衡衬底一侧的外延结构层所产生的第一内应力，从而降低衬底的翘曲程度，增大了在转移、测试和切割过程中衬底的各个位置受力的均匀程度，进而降低了破片率，提高了半导体激光器
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073959A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410453049.6
(22)申请日2024.04.16
(71)申请人苏州长光华芯光电技术股份有限公
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