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本发明公开一种背照式影像传感器及其制造方法，其中该背照式影像传感器包括外延基板、自外延基板的一表面至另一表面的深沟槽隔离结构、位于外延基板上的埋入式氧化层、外延层、阱区、浮动扩散区、浅沟槽隔离结构以及多个垂直传输栅。埋入式氧化层具有露出外延基板的多个开口，外延层形成于外延基板上并覆盖埋入式氧化层。阱区位于外延层与外延基板内。浮动扩散区则位于埋入式氧化层上方的阱区内，且埋入式氧化层的宽度大于浮动扩散区的宽度。浅沟槽隔离结构位于外延层内。垂直传输栅位于外延层内并穿过埋入式氧化层的开口。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073379A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211553898.6
(22)申请日2022.12.06
(30)优先权数据
1111446692022.
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