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一种集成电路，包括：第一标准单元，整合有第一pFET以及第一nFET；第一栅极、第二栅极，以及第三栅极，沿着第一方向纵向地定向，并且配置于第一标准单元中；位在第一栅极上的第一栅极接点，在第一栅极两个相对的边缘上与两个S/D接点相邻；位在第二栅极的第二栅极接点，在第二栅极的一个边缘上与一个S/D接点相邻；以及位在第三栅极上的第三栅极接点，其周围没有任何S/D接点。第一、第二，以及第三栅极接点分别沿着与第一方向正交的第二方向延伸第一尺寸、第二尺寸，以及第三尺寸；第一尺寸小于第二尺寸，第二尺寸小于第三
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN221008951U
(45)授权公告日2024.05.24
(21)申请号202321890164.7
(22)申请日2023.07.18
(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司
地
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