原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种半导体器件及其制备方法。其中，所述方法保留晶体管的侧墙底部的部分阻挡层，以阻挡空气进入，避免生成不稳定的镍氧化合物。且在暴露的衬底及晶体管内形成第一预非晶化区域和第二预非晶化区域，以在后续热退火工艺中利用第一预非晶化区域形成的高阻态阻挡镍离子伸入至晶体管的沟道及轻掺杂区中，造成漏电流；以及利用第二预非晶化区域吸附氧离子并去除，避免氧离子对镍硅化合物生成造成不良影响。此外，所述方法还采用第一预清除工艺去除暴露的衬底及晶体管表面的自然氧化物；采用第二预清除工艺在第一金属层中形成孔隙；并
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073280A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410472192.X
(22)申请日2024.04.19
(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司
地址
文档评论（0）