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本发明属于二维材料制备相关技术领域，公开了一种二维室温铁磁纳米片及其制备方法和应用。包括以下步骤：将碲源和铬源分别置于双温区管式炉中对应的上、下游温区，在还原性气氛和保护性气氛的混合气体生长氛围下，于850‑870℃的下游温区进行化学气相沉积，在衬底上沉积得到二维室温铁磁碲化铬纳米片。本发明采用化学气相沉积法成功制备得到了具有室温磁性、大气环境稳定的碲化铬纳米片，实现高质量二维室温磁性材料的可控生长，制得的纳米片具有较好的柔性，可实现弯折不破裂，并在柔性自旋电子器件中有着优异的应用前景。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073082A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410472473.5
(22)申请日2024.04.19
(71)申请人西安交通大学
地址710000
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