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- 2024-05-25 发布于四川
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本申请实施例涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种气相沉积装置。气相沉积装置包括腔体和承载机构。腔体具有相对设置的内壁面与外壁面，内壁面围设形成反应腔室；承载机构，部分位于反应腔室内，承载机构用于承载晶圆，且承载机构设置有加热单元；承载机构设置有供流体流动的第一通道，内壁面与外壁面之间设置有供流体流动的第二通道，第一通道的出口与第二通道的入口连通，第一通道的入口与第二通道的出口分别连接至提供冷却液的冷却源。本申请实施方式提供的气相沉积装置，能够在确保加热腔体效果的同时，有效降低CVD过程中的能耗和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118064872A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410479388.1
(22)申请日2024.04.22
(71)申请人上海谙邦半导体设备有限公司
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