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一种植入式器件及其制造方法，所述植入式器件包括：第一电极，包括导管以及多个第一电极位点，所述多个第一电极位点沿所述导管的轴向间隔设置于所述导管的外表面，所述导管具有腔体，所述腔体沿所述导管的轴向在所述导管内延伸；至少一个第二电极，容置于所述腔体内，每一个所述第二电极包括至少一个第二电极位点，所述第二电极能够从所述导管的端部或者管壁伸出。通过本发明公开方案，能够降低植入式器件对靶点脑区的损伤，进一步可以在电极存续使用过程中，减轻电极与脑组织的相对位移对植入效果的影响。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118059385A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202310611375.0A61B5/369(2021.01)
(22)申请日2023.05.
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