原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及化学气相沉积法生长制备二维材料，属于纳米材料的生长制备技术领域。该发明包括二氧化钨纳米片的制备以及基于制得的二氧化钨纳米片制成的二氧化钨二维材料的电学器件。该发明将三氧化钨粉末和硒化钨粉末共同盛放在瓷舟中作为蒸发源，在80sccm的载气流量，生长温度为1150‑1190℃，沉积时间5‑35min内化学气相沉积在基底表面，制备出二氧化钨纳米片。本发明制备的二氧化钨纳米片结晶度高，形状为规整的四边形，大小在24‑133μm，厚度在19.7‑123nm，制备方法简单可行具有一定的可控性和重复
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115558907A
(43)申请公布日2023.01.03
(21)申请号202211222958.6H01L29/24(2006.01)
文档评论（0）