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本发明公开了一种二维光子晶体面发射激光器，涉及半导体激光器技术领域。该面发射激光器包括由上至下依次设置的n掺杂衬底、n掺杂包层、有源层、光子晶体层、p掺杂包层和p掺杂接触层；所述的光子晶体层由相同的晶胞周期排列而成，且每个晶胞包括与母材折射率不同的第1异折射率区域、第2异折射率区域和第3异折射率区域。基于该光子晶体结构的面发射激光器，可以在大的模场面积下维持器件的单模工作特性，从而获得一种高功率单模面发射激光器。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073962A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410211429.9
(22)申请日2024.02.27
(71)申请人中国科学院长春光学精密机械与物
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