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2024-05-25 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，具有第一型掺杂离子的第一阱区和具有第二型掺杂离子的第二阱区，第一阱区和第二阱区相邻排布，第一型掺杂离子和第二型掺杂离子的导电类型不同；多个间隔排布设置的重掺杂区，包括第一重掺杂区、第二重掺杂区和悬浮重掺杂区；第一重掺杂区位于第一阱区中且具有第二型掺杂离子；悬浮重掺杂区位于第二阱区中且具有第一型掺杂离子，悬浮重掺杂区与第一重掺杂区相邻设置，悬浮重掺杂区的侧壁与第一阱区的侧壁相触；第二重掺杂区位于第二阱区中，第二重掺杂区与悬浮重掺杂区相邻设置，且第二

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118073409A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202211482037.3H01L21/332(2006.01)

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