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本发明提供一种刻蚀设备的检测方法及晶圆的刻蚀方法,通过在所述刻蚀设备进行漏率测试和底压测试之后,增加暖机、刻蚀速率测试和颗粒物含量测试并判断所述刻蚀速率和颗粒物含量是否符合预设标准;若所述刻蚀速率和颗粒物含量符合预设标准,则恢复刻蚀工艺。暖机工艺能消除大部分分子泵摆阀开启关闭产生的颗粒物,然后测刻蚀速率进一步消除大部分分子泵摆阀开启关闭产生的颗粒物,避免给后续的测颗粒物含量产生错误的干扰,避免给后续刻蚀工艺过程产生部分刻蚀缺陷。本发明进一步提高刻蚀设备反应腔体刻蚀清洁的稳定性,减少随机产生的部分
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073248A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410465468.1
(22)申请日2024.04.18
(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司
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