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本发明涉及一种基于硅基底超宽带红外增透膜片、制备方法及其应用，基于硅基底超宽带红外增透膜片包括硅基底，以及设于所述硅基底两侧的第一膜系和第二膜系；所述第一膜系的结构和所述第二膜系的结构均SI|1.74M/1.79H/3.87M/1.06H/8.9M/1.92L/1.72M/6.97L/0.19M|AIR；其中，M为λ0/4光学厚度ZnS膜层，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长，SI表示硅基底材料；AIR表示空气；M、H、L前的数字分别为对应膜层的厚度比
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118068460A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410383977.X
(22)申请日2024.03.29
(71)申请人杭州灵犀微光科技有限公司
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