原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开一种JBS二极管器件的结构及其制造方法，涉及半导体材料领域，以提高JBS二极管器件的正向特性。所述JBS二极管器件由下至上依次包括：欧姆金属层、碳化硅重掺杂衬底、碳化硅轻掺杂外延层、P型导电区域以及肖特基金属层；所述碳化硅轻掺杂外延层上刻蚀有呈阶梯状的沟槽，所述沟槽至少包括两级阶梯，且所述呈阶梯状的沟槽的横截面宽度由下至上逐级增大；所述呈阶梯状的沟槽底部的至少一级阶梯中覆盖有通过离子注入的方式生成的所述P型导电区域；进行所述离子注入的阶梯数量小于所述沟槽的总阶梯数量；所述P型导电区域上
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073428A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410324095.6
(22)申请日2024.03.20
(71)申请人中国科学院微电子研究所
地址1
文档评论（0）